多种先进的IGBT技术平台:平面非穿通,沟槽非穿通,平面场截止,沟槽场截止;从经济和性能方面为用户提供灵活的选择方案。
采用先进的平面场截止技术,具有地饱和压降和高速开关特性,适合焊机、电磁感应加热等高频电源应用。
成熟的高压平面VDMOS产品。平面高压MOS,电压600~1500伏特,应用于逆变器、充电器以及高压开关电源等领域。
快恢复二极管采用先进外延扩铂技术,具有较小的trr、Qrr,高温漏电特征，同时具有优良的软恢复特性。
碳化硅MOSFET是基于碳化硅半导体材料的场效应晶体管，具有高频高效、高耐压、高可靠性等特性。
青岛佳恩半导体有限公司成立于2015年是国家高新技术企业、科技型中小企业、山东省专精特新企业、山东省瞪羚企业、青岛市首批制造业新锐企业产融合作企业，公司致力干高端半导体功率器件的设计、开发、制造及销售。作为新一代的功率半导体设计公司,佳恩掌握着创新型功率半导体核心技术，拥有自主知识产权和自主品牌。公司自主研发的产品涵盖了600V~1200V IGBT芯片、500V~1500V MOS芯片、400V~1200V FRD芯片，共申请了23项发明专利、43项实用新型专利
近日，我司（以下简称“佳恩半导体”）收获重大喜报，继2021年12月完成PreA轮融资后，近日再次完成数千万A轮融资，本轮融资由山东毅达创业投资基金合伙企业（有限合伙）（简称“毅达资本”）独家投资，融资资金将主要用于加速功率半导体芯片研发、加快产线建设及人才团队组建。
+ 查看更多热烈祝贺佳恩半导体深圳分公司于2021年10月26日乔迁至深圳市南山区科技园中区科苑路15号科兴科学园B4栋3楼05单位 ，新居鼎定，大展宏图。
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